人工智能芯片技术创新中心

集成电路互连方面的研究工作主要在Lowk材料的制备和金属阻挡层的制备与研究两方面。

1、Low k 材料的制备

Lowk材料的制备主要的研究目的为：制备出低介电常数/高机械性能的多孔结构薄膜：PMO （周期性多孔二氧化硅）结构；桥连烷基的SiOCH膜；末端甲基-有机硅酸盐OSG薄膜；超配位数苯基桥连结构。

图 1 Low k 材料的制备

2、金属阻挡层的制备与研究

对金属阻挡层的制备与研究主要体现在制备出TaN等扩散阻挡层以及研究其热稳定性及阻挡特性。在该方向上，实验室与复旦大学进行合作研究ALD工艺制备金属阻挡层。基于该方向获得的研究成果共发表SCI期刊论文5篇、EI会议论文3篇。