人工智能芯片技术创新中心

图 1 SiC MOS器件

该研究主要致力于解决如何降低界面陷阱密度和提升SICMOS器件可靠性的问题。该研究方向依托于国家重大专项：《SiC电力电子器件集成制造技术研发及产业化》，该专项获资助达83.22万元。基于该方向的研究成果共发表SCI 期刊论文 3 篇，EI会议论文1篇。