一、设备测试内容：

电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)和超快脉冲 I-V 电学测试。

二、设备研究领域：

材料研究、半导体器件设计、工艺开发或生产的复杂器件的测试应用。

三、设备性能指标：

4 个中功率 SMU：100mA to 100fA, 200V to 1μV, 2Watt

测量分辨率：10fA/0.5 μV

1 个CV 模块：1kHZ-10MHZ

1 个脉冲IV 模块：最小脉冲 10ns

四、探针台设备性能指标：

1)4 个探针，8inch 直径载盘:

半自动的XY 移动靠马达驱动，分辨率 1μm，精度≤2.5μm；重复性≤2μm；手动的XY 手动调节，5mm/转。

半自动Z 轴行程 5mm，分辨率 1μm,精度≤2μm；重复性≤1μm；手动 Z 轴不可移动。

半自动Theta 轴行程±5.5°；手动Theta 轴行程±5.7°

Plant平台可以升降 5mm，重复性≤3μm；

2)可以配置电子数码显微镜（简称eVue)、A-Zoom、体式显微镜等。

3)带有微暗室，可以有效做到电磁屏蔽、光屏蔽、噪声屏蔽。