一、设备概述

PEALD 等离子体增强原子层沉积系统是专门为特殊应用领域的科学研究与工业开发用户而设计的单片/多片沉积系统，系统电气完全符合 CE 标准；该系统扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围、提高薄膜沉积速率和降低沉积温度，广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积。

二、技术指标

样品台：标准 4/6/8 英寸，兼容以小尺寸，可定制

基片加热温度：室温～400℃

前驱体输运系统：标准 2-6 路液态前驱体管路，可选配

前驱体管路温度：室温～200℃

源瓶加热温度：室温～200℃

ALD 阀 ：Swagelok 快速高温 ALD 专用阀

本底真空：＜5×10-5Torr，高性能机械泵

载气系统 ：N2 或者 Ar

生长模式：高速沉积模式和停留生长模式

等离子体源：0-300W 感应耦合远程等离子体

等离子体放电气源：标准 2-4 路，可选配

控制系统：PLC+触摸屏

电源 50-60Hz, 380V/20A 交流电源

沉积非均匀性：Al2O3 非均匀性＜±1%