一、设备概述

全自动型等离子体化学气相淀积台(PECVD-801)通过软、硬件相互配合的互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等设计，结合各种硬保护装置、使设备的安全性、可靠性得到有效保证。
二、技术指标

沉积室数量：单室

沉积室规格：Ø400×150mm

样品台尺寸：ø290mm（热均匀区ø220mm）

加热温度：≤300℃

沉积材料：SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等

沉积速率：200-300 Å/min （与淀积材料和工艺有关）

沉积不均匀性：≤±5%

自动化程度：真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动控制

人机界面：Windows 环境、触摸屏操作

操作方式：全自动方式、非全自动方式