一、设备概述

SUSS采用专利的“消衍射”光学系统，曝光光束呈一特定夹角投射到掩膜版上，能够有效消除紫外光在投射到亚微米线条时的次级衍射峰，此专利可以大大提高光刻机在制作1um及以下线宽图形时的极限分辨率和工艺成品率。使该光刻机能够稳定、高成品率地实现亚微米图形的光刻。SUSS MJB4型光刻机可稳定可靠地在1μm胶厚的前提下轻松实现0.8μm分辨率。

二、技术参数：

（1）曝光波长：UV400

（2）曝光面积：100 mm（4英寸）

（3）分辨率：≤0.8mm

（4）正面套刻精度：≤±0.5mm

（5）光强均匀度：100mm直径内≤±5％

（6）曝光模式可支持硬接触、软接触、接近和真空4种模式