个人简介

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张静，教授

主要从事于硅基SiC功率器件的研究，以及集成电路相关的测试工作，先后为多家半导体相关的科研院所进行器件电学特性测试、数模混合集成电路系统的验证性分析、开关类电源管理wafer的测试等。先后承担了国家自然科学基金2项：《Ge基MOS器件迁移率的远程库伦散射机制的研究》、《高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究》，作为课题负责人参与了国家科技部重大专项一项：《SiC 电力电子器件集成制造技术研发及产业化》。同时参与了重大专项《高端射频与数字集成电路测试系统》的向量转换问题的研究。获《开关类电源管理集成电路IP的设计与开发》获北京市科技进步三等奖，并荣获甘肃省新长征突击手、北京市师德先进个人等称号。

研究方向

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1.半导体材料与电子器件集成

2.宽禁带半导体材料与MOS器件界面态的研究

3.生物传感器的研究

4.集成电路互连Low K介质的研究

5.集成电路测试方法学研究

研究成果

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主持国家自然基金1项：2017面上项目，62万元；

主持科技部重大专项1项（子课题负责人），83.22万元；

承担国家自然基金1项：2012面上项目，25万元；

近五年共发表论文20余篇，其中SCI、EI期刊论文15篇，（其中第一作者2篇，通讯作者5篇）；

近5年纵向科研到款173.31万，横向科研到款60.5万元。

近年来主要科研项目：

获奖证书：