一、设备概述
标准型离子束刻蚀机(IBE)采用口径φ150mm考夫曼型离子源，通过独特结构的双钼栅离子光学系统及SHAG技术保证在φ100mm范围内束流的均匀性为±5%，电子中和系统可使样片上的电荷积累为零。
IBE的刻蚀工作台可绕工作中心自转，离子束入射角可在0～90°之间任意调整。
二、技术指标
真空系统：分子泵机组
刻蚀室数量：单刻蚀室
刻蚀室规格：Ø450×350×430mm
工作台尺寸：Ø150mm(最大片径≤4英寸)
离子束入射角：0~90°之间任意调整
刻蚀速率：100Å～2000Å/min（与刻蚀材料和工艺有关）
刻蚀不均匀性：≤±5%
Ar+离子能量范围：100~1000eV，连续可调
离子束流密度：0~1mA/cm2，连续可调
有效离子束直径：≥ø100mm（屏栅极直径ø150mm）
电子中和：带有热丝结构的电子中和装置
