一、设备简介

快速热处理技术（RTP）近年来得到越来越广泛的应用，可用于硅及化合物半导体材料离子注入后的退火，硅化物形成，欧姆接触制备以及快速氧化，快速氮化等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温，慢速升降温的功能，因此也可用于铁电膜的制备以及各种半导体材料CVD 工艺的热处理。

二、主要技术数据

（1）可在氧气及惰性气体(N2，Ar)环境下进行快速热处理.

（2）温度范围：150℃-1300℃，建议使用温度范围 150℃-1250℃

（3）升温速率：0.001-220℃/秒，可预设定2-20

（4）密封石英盒尺寸：215×140×14mm（样品最大尺寸）

（5）PC机控制：CPU 主频1.1G，内存128M，硬盘20G，软驱1.44M，40倍速光驱，显示器15寸彩显。

（6）可编程温度曲线存储 500 条以上，每条曲线可包括 50 段以上，温度设定范围 100℃-1300℃，时间设定范围 1-30000 秒。数据可导出为文本文件便于数据处理。

（7）实时温度曲线，显示及存储功能，存储实验曲线 500 条以上。

（8）手动控制：时间设定范围 1-9999 秒，温度设定范围 100-1300℃

（9）双闭环温度控制，稳态温度稳定性±2℃

（10）光源：1.25KW×13 卤钨灯

（11）电源：380V   32A   3 相

（12）水源：自来水或循环水

（13）外形尺寸：电源箱 440×200×520mm

                炉体箱 440×200×520mm

                PC 机：标准尺寸