一、设备概述
在高真空下，采用电阻式蒸发原理，利用大电流在蒸发舟上加热所蒸镀材料， 使其在高温下熔化蒸发，从而在样品上沉积所需要的薄膜。通过调节所加电流的大小，可以方便的控制镀膜材料的蒸发速率。通常适合熔点低于1500oC的金属薄膜的制备。
二、技术指标
可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物， 化学，材料，电子等领域。
蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In 等
极限真空：2E-7Torr（30 分钟从atm 抽到 5E-6Torr ）
薄膜均匀性：±4%（4 英寸）
装片：小于 4 英寸的任意规格的样品若干
样品台：带连续旋转，转速 0-20rpm，在位倾斜角度-45o-45o可调
